Computerworld
Rossiya Soderzhanie
Novosti
Internet
Obzor
i podrobnosti
V nashem ezhenedel'nike (sm. Computerworld/Rossiya, # 41, 1996, s.16) byla opublikovana zametka |ndi Santoni "SDRAM vytesnyaet EDO". Redakciya reshila predlozhit' svoim chitatelyam bolee podrobnuyu informaciyu, kasayushchuyusya nekotoryh aspektov evolyucii ustrojstv operativnoj pamyati.
V otlichie ot bol'shinstva komponentov PK, razvitie ustrojstv operativnoj pamyati shlo gorazdo medlennee. Po-vidimomu, eto ob座asnyaetsya tem, chto s samogo nachala v konstrukcii etih ustrojstv byl zalozhen nekotoryj rezerv. V techenie mnogih let komp'yuternaya otrasl' znala edinstvennyj vid operativnoj pamyati. Snachala eto byla pamyat' s podderzhkoj stranichnogo rezhima (Page Mode RAM), s pomoshch'yu kotoroj byl realizovan uskorennyj dostup k posledovatel'nym yachejkam pamyati (za schet sokrashcheniya ciklov obrashcheniya). Pozdnee poyavilas' pamyat' tipa Fast Page Mode DRAM (FPM DRAM - bystraya pamyat' so stranichnym rezhimom). Ee nazvanie otrazhaet tot fakt, chto FPM DRAM sposobstvuet dopolnitel'nomu uskoreniyu dostupa. Predpolagaetsya, chto posledovatel'nye obrashcheniya proishodyat k uchastkam, nahodyashchimsya v odnom i tom zhe ryadu matricy yacheek pamyati. Esli pri ocherednom cikle obrashcheniya eto predpolozhenie okazyvaetsya spravedlivym, to dostigaetsya nekotoraya "ekonomiya" vremeni.
FPM DRAM predstavlyaet soboj samyj prostoj tip operativnoj pamyati. V nastoyashchee vremya imeetsya dva varianta mikroshem FTP DRAM: s vremenem dostupa 70 ns i 60 ns. Dlya processora Pentium c taktovoj chastotoj ot 100 do 200 MGc (bystrodejstvie shiny sostavlyaet 66 MGc) vremya dostupa k mikrosheme pamyati dolzhno sostavlyat' ne menee 60 ns. Samaya bystraya mikroshema FPM DRAM opisyvaetsya formuloj "5-3-3-3" (pri obrashchenii k pamyati na schityvanie pervogo slova neobhodimo 5 taktov, a sleduyushchih treh po 3).
C rostom taktovoj chastoty processorov, starye principy raboty mikroshem operativnoj pamyati stali odnoj iz prichin, tormozyashchih rost proizvoditel'nosti komp'yuterov. Naprimer, FPM DRAM s vremenem dostupa 60 ns obespechivaet bystrodejstvie 28,5 MGc, v to vremya kak mikroprocessory sposobny rabotat' na skorostyah do 66 MGc.
Pervym sposobom likvidacii "uzkogo mesta" stalo ispol'zovanie kesh-pamyati, vvedennoj snachala neposredstvenno v central'nyj processor (pervyj uroven'), a zatem pomeshchennoj na materinskuyu platu (vtoroj uroven'). V nastoyashchee vremya bol'shaya chast' PK osnashchaetsya kesh-pamyat'yu vtorogo urovnya. Prichem do nedavnego vremeni ee ob容m ne prevyshal 256 Kbajt, chto vpolne sootvetstvovalo potrebnostyam pol'zovatelej. Poka samymi rasprostranennymi operacionnymi sistemami ostavalis' DOS i Windows 3.1 ili 3.11, a emkost' operativnoj pamyati ne prevyshala 64 Mbajt, ne bylo neobhodimosti imet' kesh-pamyat' vtorogo urovnya bol'she 256 Kbajt.
Pri rabote v srede 32-razryadnyh mnogozadachnyh OS tipa Windows NT, OS/2 ili Unix chastota "promahov" kesh-pamyati uvelichivaetsya. |to obuslovleno uvelicheniem ob容mov vypolnyaemyh programm, a takzhe kolichestvom odnovremenno vypolnyaemyh prilozhenij. Dlya kompensacii rezul'tiruyushchego snizheniya proizvoditel'nosti sistemy nado libo uvelichit' kesh-pamyat', libo ispol'zovat' bolee "bystruyu" operativnuyu pamyat'.
S vyhodom processora Pentium P54C poyavilas' vozmozhnost' ustanovki na materinskoj plate kesh-pamyati ob容mom 512 Kbajt. Pri rabote c OS Windows 95 stalo yasno, chto takoj ob容m kesh-pamyati daet uvelichenie proizvoditel'nosti PK, imeyushchego operativnuyu pamyat' ob容mom vsego 16 Mbajt (chto bylo dokazano sootvetstvuyushchimi testami). Tem ne menee chipsety kompanii VIA, prednaznachennye dlya raboty s processorami Pentium, mogut podderzhivat' do 2048 Kbajt.
Nesmotrya na to, chto kesh-pamyat' pozvolyaet (inogda ves'ma sushchestvenno) sokratit' razryv mezhdu bystrodejstviem processora i propusknoj sposobnost'yu pamyati, ona zametno povyshaet obshchuyu stoimost' sistemy i ee slozhnost'. Poetomu velis' razrabotki v oblasti sozdaniya bolee bystroj pamyati.
Esli pervye dostizheniya v dele povysheniya bystrodejstviya pamyati opredelyalis' uspehami v oblasti tehnologii, to dal'nejshee sovershenstvovanie mikroshem pamyati svyazano s realizaciej novoj arhitektury DRAM. Prichem predprinyatye izmeneniya pochti ne zatronuli razmery kristallov pamyati. Pervym zametnym resheniem stala pamyat' tipa EDO DRAM, poyavivshayasya v 1995 godu.
Pamyat' tipa EDO (Extended Data Output) DRAM stala zametnym shagom v serii novovvedenij, svyazannyh s sovershenstvovaniem tehnologii raboty ustrojstv DRAM. Stimulom k poyavleniyu pamyati etogo tipa na rynke stalo massovoe primenenie novyh vysokoproizvoditel'nyh processorov Pentium c taktovymi chastotami vyshe 90 MGc. Pervye zhe komp'yutery, ispol'zuyushchie pamyat' EDO, poyavilis' v 1995 godu u Gateway 2000, Micron i nekotoryh drugih firm.
EDO DRAM byla razrabotana s cel'yu obespecheniya bolee bystrogo dostupa k sosednim yachejkam pamyati po sravneniyu s tradicionnoj pamyat'yu tipa FPM DRAM. Dostup k informacii v stranichnom rezhime dlya mikroshem EDO pohozh na rabotu FPM, za isklyucheniem neznachitel'nyh izmenenij formy signala CAS (Column Address Strobe - odin iz upravlyayushchih signalov mikroshem dinamicheskoj operativnoj pamyati) i vremennoj diagrammy vyvoda dannyh. Cel' modifikacii signala CAS - uvelichenie kolichestva dannyh, vyvodimyh iz pamyati v zadannyj period vremeni. To obstoyatel'stvo, chto dannye iz EDO RAM vyvodyatsya bolee chasto po sravneniyu so standartnoj pamyat'yu FPM, ochevidno, i posluzhilo osnovaniem dlya nazvaniya mikroshem novogo tipa - Extended Data Out (s rasshirennym vyvodom dannyh).
Umen'shenie vremeni dostupa v mikroshemah EDO obuslovleno isklyucheniem iz processa obrashcheniya k pamyati vremeni ozhidaniya gotovnosti dannyh na shine. |to bylo dostignuto za schet preobrazovaniya obychnoj posledovatel'nosti operacij rezhima stranichnogo obmena v "dvuhstupenchatyj konvejer", obespechivayushchij vozmozhnost' perekrytiya chasti operacij. V sootvetstvii s etim nachalo novogo cikla obrashcheniya k pamyati nachinaetsya eshche do okonchaniya predydushchego (t.e. do togo, kak dannye budut udaleny s shiny). Informaciya, schitannaya po konkretnomu adresu, "zahvatyvaetsya" special'nymi registrami mikroshemy pamyati - formirovatelyami vyhodnyh dannyh (data output drivers)- i uderzhivaetsya na shine do okonchaniya cikla obrashcheniya k pamyati. Odnovremenno s vyvodom informacii, dlya kontrolya za kotorym v mikrosheme pamyati ispol'zuetsya dopolnitel'nyj upravlyayushchij signal, osushchestvlyaetsya vyborka dannyh po novomu adresu. Prichem nezavisimost' processa vyborki novyh dannyh ot gotovnosti rezul'tatov predshestvuyushchego zaprosa sohranyaetsya dazhe v sluchae preryvaniya zaprosa.
V rezul'tate vvedennyh usovershenstvovanij na komp'yuterah, osnashchennyh operativnoj pamyat'yu na mikroshemah EDO, vremya dostupa processora k hranyashchimsya v pamyati dannym sokrashchaetsya na 10-15% (po nekotorym dannym, dazhe do 20%) po sravneniyu s tradicionnymi mikroshemami pamyati FTP RAM.
Poskol'ku realizaciya koncepcii EDO predstavlyaet soboj ves'ma "umerennoe" izmenenie metoda FPM, pervye proizvoditeli mikroshem EDO RAM mogli podderzhivat' na nih oba tipa arhitektury i dazhe obespechivat' ih soglasovannuyu rabotu v sistemah pamyati. Pri etom kontrollery pamyati byli takzhe modificirovany, chtoby obespechivat' rabotu kak s FPM, tak i s EDO.
Dlya togo chtoby komp'yutery mogli ispol'zovat' preimushchestva arhitektury EDO, oni dolzhny byt' osnashcheny sootvetstvuyushchim chipsetom.
Pervym chipsetom, podderzhivayushchim rabotu EDO, stal nabor mikroshem Triton (82430FX) firmy Intel. |tot nabor mikroshem pozvolil povysit' proizvoditel'nost' shiny PCI do 100 Mbajt/s (chto oznachaet udvoenie znacheniya etogo pokazatelya po sravneniyu s proizvoditel'nost'yu sistem predydushchego pokoleniya, vypolnennyh na baze chipseta Neptun). Krome togo, chipset Triton podderzhivaet kesh-pamyat' vtorogo urovnya ob容mom do 512 Kbajt, chto takzhe vdvoe prevyshalo pokazateli imevshihsya k tomu vremeni sistem. Razlichnye modeli pamyati chasto sravnivayutsya po posledovatel'nostyam taktov processora, neobhodimyh dlya obrashcheniya k bloku dannyh iz chetyreh 64-razryadnyh slov. Esli dlya standartnoj dinamicheskoj pamyati FPM takoe gruppovoe obrashchenie opisyvaetsya posledovatel'nost'yu "X-3-3-3", to dlya pamyati EDO (chipseta Triton) sootvetstvuyushchaya formula vyglyadit kak "X-2-2-2". |to otrazhaet umen'shenie kolichestva sostoyanij ozhidaniya (t.e. vremeni, v techenie kotorogo rabota processora priostanavlivaetsya s tem, chtoby mikroshemy pamyati mogli prinyat' i sohranit' dannye).
Uvelichenie bystrodejstviya mikroshem pamyati EDO pobudilo nekotoryh proizvoditelej PK iz座at' iz komp'yuterov, postroennyh na baze 75 i 90 MGc processorov Pentium, dovol'no doroguyu kesh-pamyat' vtorogo urovnya. Takoe reshenie pozvolyaet sozdat' nedorogie i dostatochno proizvoditel'nye sistemy, otnosyashchiesya k nizhnemu klassu (low-end). Odnako etot podhod nepriemlem dlya sistem verhnego urovnya, poskol'ku ispol'zovanie konvejernoj kesh-pamyati vtorogo urovnya garantiruet gorazdo bol'shij vyigrysh po sravneniyu s EDO. Tak, soglasno imeyushchimsya ocenkam, summarnyj vyigrysh proizvoditel'nosti ot primeneniya mikroshem EDO v sistemah pamyati, soderzhashchih kesh vtorogo urovnya, ne prevyshaet 5%.
Preimushchestvo arhitektury EDO nad standartnoj pamyat'yu FPM c tochki zreniya bystrodejstviya i sopostavimost' cen na mikroshemy dvuh tipov obespechili shirokoe rasprostranenie pamyati EDO DRAM. Nesmotrya na eto, mnogie analitiki uzhe predskazyvayut ih bystryj zakat.
Problema EDO RAM v tom, chto etot tip pamyati ploho rabotaet s shinami, bystrodejstvie kotoryh prevyshaet uzhe dostignutyj uroven' v 66 MGc. Samaya bystrodejstvuyushchaya na segodnyashnij den' mikroshema EDO RAM harakterizuetsya formuloj "5-2-2-2" i, sledovatel'no, yavlyaetsya dovol'no medlennoj dlya togo, chtoby likvidirovat' rastushchij razryv mezhdu bystrodejstviem processora i propusknoj sposobnost'yu pamyati. Krome togo, nalichie u EDO RAM dostatochno bol'shogo kolichestva sostoyanij ozhidaniya budet vse ser'eznee skazyvat'sya pri uvelichenii plotnosti hraneniya dannyh (emkost' mikroshem pamyati uzhe pereshla rubezh 16 Mbit).
Analitiki rassmatrivayut EDO RAM kak vremennuyu al'ternativu pamyati FPM, ne trebuyushchuyu ot razrabotchikov ser'eznyh konstruktivnyh izmenenij. Po mere perehoda na ustrojstva s bol'shej emkost'yu i padeniya cen na DRAM novogo tipa budet proishodit' postepennoe vytesnenie pamyati EDO-tipa. V kachestve srokov perehodnogo perioda specialisty nazyvayut 1997-1998 gg.
Svetloe
budushchee SDRAM
Sovremennye processory uzhe dostigli chastoty 66 MGc, i etot pokazatel' prodolzhaet rasti; v nekotoryh sluchayah on "perevalil" za 200 MGc. Razryv mezhdu propusknoj sposobnost'yu pamyati i bystrodejstviem processorov zastavlyaet proektirovshchikov ispol'zovat' slozhnye i dorogie resheniya: narashchivat' kolichestvo bankov osnovnoj pamyati, uvelichivat' razryadnost' shiny i rasshiryat' ob容m vneshnej kesh-pamyati. Propusknaya sposobnost' DRAM mozhet byt' uvelichena za schet podobnyh modifikacij, tem ne menee pri ispol'zovanii tradicionnyh tipov DRAM vse ravno budut voznikat' "zatory". Po mneniyu ekspertov, pri skorosti shiny vyshe 50 MGc predpochtitel'no ispol'zovat' novuyu tehnologiyu - SDRAM.
Synchronous DRAM (SDRAM) - eto sravnitel'no novaya tehnologiya mikroshem dinamicheskoj pamyati. Osnovu etogo tipa pamyati sostavlyaet tradicionnaya shema DRAM. Odnako SDRAM otlichaetsya tem, chto ispol'zuet taktovyj generator dlya sinhronizacii vseh signalov, primenyaemyh v mikrosheme pamyati. V nedalekom zhe proshlom takoj vozmozhnost'yu obladali tol'ko mikroshemy staticheskoj pamyati, ispol'zuemye v kachestve kesh-pamyati vtorogo urovnya. Krome togo, SDRAM pozvolyaet osushchestvlyat' konvejernuyu obrabotku informacii. |ta tehnologiya sokrashchaet vremya, zatrachivaemoe na vypolnenie komand i peredachu dannyh, za schet isklyucheniya sostoyanij ozhidaniya, i takim obrazom povyshaet obshchuyu proizvoditel'nost' komp'yutera.
Analitiki schitayut, chto eta tehnologiya v blizhajshem vremeni stanet ochen' populyarnoj. Po mneniyu proizvoditelej poluprovodnikovyh ustrojstv, SDRAM budet primenyat'sya v kachestve osnovnoj pamyati dlya PK, rabochih stancij i graficheskih podsistem. |to ob座asnyaetsya tem, chto podobnyj tip pamyati uzhe podderzhivaetsya novymi chipsetami Triton VX i komplektami integral'nyh shem, kotorye proizvodyatsya kompaniej VIA - 580VP i 590VP dlya processorov Pentium i 6x86, a takzhe 680VP dlya processorov Pentium Pro.
Samaya bystraya mikroshema SDRAM mozhet byt' opisana formuloj "5-1-1-1", chto ekvivalentno bystrodejstviyu pamyati tipa BEDO RAM. Odnako SDRAM pozvolyaet legko realizovat' rabotu shiny s chastotoj do 100 MGc. Po mneniyu specialistov, eto edinstvennyj tip pamyati, pozvolyayushchij sejchas dostich' takoj proizvoditel'nosti.
Kak pokazyvaet praktika, dlya komp'yuterov, u kotoryh chastota shiny dannyh ne prevyshaet 66 MGc, vyigrysh ot ispol'zovaniya SDRAM okazyvaetsya minimal'nym, poskol'ku i etot tip pamyati ne obespechivaet umen'sheniya sostoyanij ozhidaniya pri obrashchenii k pervomu bitu pamyati ("5-1-1-1"). Pri etom cena modulej SDRAM po sravneniyu s pamyat'yu EDO-tipa okazalas' vyshe, poskol'ku ih sozdanie potrebovalo ot proizvoditelej vneseniya ryada konstruktivnyh i tehnologicheskih izmenenij (v chastnosti, byl uvelichen razmer kristalla).
|to zastavilo razrabotchikov ustrojstv pamyati vnov' obratit'sya k tehnologii EDO DRAM. V rezul'tate ee usovershenstvovaniya byla sozdana pamyat' tipa Burst EDO DRAM, obespechivshaya vozmozhnost' potokovoj obrabotki. Pri etom predpolagalos' ispol'zovat' novyj tip pamyati isklyuchitel'no na rynke PK. Burst EDO DRAM pozvolyaet podderzhivat' potoki, soderzhashchie do chetyreh bajtov informacii. Odnako i eta pamyat' ne smogla povysit' skorosti dostupa k pervomu bajtu potoka, hotya vse posleduyushchie bajty schityvayutsya so skorost'yu 66 MGc, chto sootvetstvuet maksimal'nomu bystrodejstviyu SDRAM.
V nastoyashchee vremya idet bor'ba mezhdu storonnikami dvuh tehnologij - BEDO DRAM i SDRAM - za lidiruyushchee polozhenie na rynke komp'yuterov s chastotoj shiny dannyh do 66 MGc. Nesmotrya na to, chto moduli pamyati SDRAM dorozhe, k nastoyashchemu vremeni bol'shee chislo proizvoditelej otdaet vse zhe predpochtenie imenno im. |to obuslovleno i tem, chto proizvoditelyam mikroshem udalos' ustranit' razlichiya v funkcional'nyh specifikaciyah sobstvennyh produktov, bol'shinstvo iz kotoryh teper' sootvetstvuet standartam JEDEC.
Krome togo, nekotorye krupnye proizvoditeli predlagayut menee dorogie versii SDRAM, poluchivshie nazvanie SDRAM Lite i prednaznachennye dlya raboty na chastotah 66 i 75 MGc. V nih realizovano tol'ko podmnozhestvo polnogo nabora funkcij SDRAM, odnako eto pozvolyaet prodavat' ustrojstva SDRAM Lite po cene, sravnimoj so stoimost'yu BEDO DRAM. V svyazi s etim specialisty predskazyvayut, chto ustrojstva SDRAM najdut shirokoe primenenie pri perehode k bolee bystrodejstvuyushchim shinam. "Rascvet" tehnologii BEDO DRAM, po ih mneniyu, veroyatno pridetsya na 1996 god, a zatem ona postepenno ustupit mesto drugim metodam.
V nastoyashchee vremya imeyutsya mikroshemy SDRAM, obespechivayushchie podderzhku shin s chastotoj 67, 83, 100 i 125 MGc. Po mere rosta taktovoj chastoty processorov, bystrodejstvie SDRAM budet takzhe uvelichivat'sya. Poetomu v dal'nejshem planiruetsya vypustit' i bolee bystrye ustrojstva SDRAM c shinoj na 167, 200 i 250 MGc.
Povyshennaya propusknaya sposobnost' SDRAM mozhet byt' ispol'zovana kak dlya povysheniya proizvoditel'nosti PK, tak i dlya podderzhaniya ee na tom zhe samom urovne s odnovremennym umen'sheniem ceny komp'yutera za schet isklyucheniya kesh- pamyati vtorogo urovnya (ili, primenitel'no k graficheskim sistemam, special'nogo bufera).
Ispol'zuemaya v SDRAM sinhronizaciya uproshchaet takzhe konstrukciyu sistem i kontrollerov pamyati i obespechivaet umen'shenie ih stoimosti. Naprimer, mikroshema 16 Mbit SDRAM mozhet zamenit' chetyre chipa 4 Mbit EDO, prichem proizvoditel'nost' pri etom uvelichitsya priblizitel'no na 20%.
Takim obrazom, v dolgosrochnom plane SDRAM predostavlyaet vazhnoe preimushchestvo: vozmozhnost' obespechit' sootvetstvie propusknoj sposobnosti pamyati bystrodejstviyu processora. Prichem naibolee privlekatel'nym aspektom SDRAM, po mneniyu ekspertov, yavlyaetsya tot fakt, chto narashchivanie proizvoditel'nosti ne trebuet pereproektirovaniya sistem, a znachit i dopolnitel'nyh finansovyh zatrat.
Kak schitayut specialisty, massovyj perehod otrasli na ustrojstva SDRAM nachnetsya uzhe v budushchem godu.
Sleduyushchim pokoleniem ustrojstv operativnoj pamyati, po mneniyu ekspertov, stanet Rambus DRAM (RDRAM). |tot tip pamyati osnovan na tehnologii vysokoskorostnogo interfejsa pamyati, razrabotannogo amerikanskoj kompaniej Rambus. Mnogie vedushchie proizvoditeli chipov operativnoj pamyati i drugih integral'nyh shem, sredi kotoryh kompanii IBM, NEC, Toshiba, Samsung Electronics, Hitachi, uzhe priobreli u Rambus licenzii na ispol'zovanie tehnologii RDRAM. Soobshchaetsya, chto dohody etoj kompanii, poluchennye ot prodazhi licenzij na ee tehnologiyu, za tri pervyh kvartala 1996 goda sostavili 200 mln. doll.
Na baze tehnologii Rambus razrabatyvayutsya razlichnye ustrojstva, v tom chisle graficheskie podsistemy dlya PK i specializirovannye graficheskie rabochie stancii, mikroshemy operativnoj pamyati, igrovye pristavki i kommunikacionnoe oborudovanie dlya setej ATM.
Uzhe vypuskayutsya ili tol'ko anonsirovany produkty, osnashchennye mikroshemami RDRAM. V ih chislo vhodyat, naprimer, rabochie stancii Indigo2 IMPACT kompanii Silicon Graphics, 64-razryadnye domashnie igrovye pristavki Nintendo 64, graficheskie platy Graphics Blaster MA302 proizvodstva Creative Labs, semejstvo graficheskih kontrollerov Laguna kompanii Cirrus Logic i mul'timedia-processory Mpact proizvodstva Chromatic Research. Poyavilis' soobshcheniya o tom, chto Microsoft vybrala RDRAM dlya svoej sistemy trehmernoj grafiki, poluchivshej nazvanie Talisman.
Po slovam predstavitelej kompanii Rambus, ob容my postavok integral'nyh shem RDRAM prevzoshli ih ozhidaniya - ezhemesyachno postavlyayutsya milliony takih ustrojstv. |tot uspeh svyazyvaetsya, v pervuyu ochered', s prodazhami Nintendo 64 i Graphics Blaster. Soglasno dannym, privodimym kompaniej Nintendo, tempy prodazhi ee novoj 64-razryadnoj igrovoj pristavki prevysili analogichnye pokazateli vseh konkuriruyushchih produktov, a Nintendo 64 uzhe stala naibolee uspeshno prodavaemoj igrovoj pristavkoj za vsyu istoriyu kompanii. Kazhdaya zhe sistema Nintendo 64 soderzhit tri integral'nye shemy, vypolnennye na baze tehnologii Rambus.
Rukovoditeli Rambus schitayut, chto po mere togo kak trehmernaya grafika i mul'timedia-tehnologiya stanovyatsya vazhnejshimi napravleniyami razvitiya komp'yuternoj otrasli, RDRAM budet postepenno vytesnyat' drugie tipy pamyati.
Po mneniyu analitikov, tehnologiya Rambus obespechivaet naibolee effektivnyj s tochki zreniya zatrat variant dlya PK, trebuyushchih bol'shogo ob容ma operativnoj pamyati. V chastnosti, bufer kadrov emkost'yu 2 Mbajt, ispol'zuemyj v 64-razryadnoj graficheskoj podsisteme, osnovannoj na tehnologii Rambus, sochetaet naimen'shuyu stoimost' mikroshem pamyati s naivysshej propusknoj sposobnost'yu po sravneniyu s analogichnymi pokazatelyami lyuboj drugoj izvestnoj na segodnyashnij den' tehnologii.
Vazhnym etapom na etom puti stal anons 16 Mbit mikroshem RDRAM, vypolnennyh na baze usovershenstvovannoj arhitektury Concurrent RDRAM. Ob etom v mae 1996 goda ob座avili kompanii LG Semicon, NEC, Oki Electric Industry, Samsung Electronics i Toshiba. Novaya arhitektura obespechivaet ochen' maluyu zaderzhku pri obrashchenii k pamyati, a takzhe udvoenie propusknoj sposobnosti po sravneniyu s sushchestvuyushchimi ustrojstvami Rambus DRAM.
Nesmotrya na to, chto ustrojstva Rambus DRAM vsegda predostavlyali naivysshuyu (po sravneniyu s drugimi tipami pamyati) propusknuyu sposobnost', eto proishodilo cenoj bol'shej zaderzhki (ili vremenem dostupa k pervomu bajtu massiva pamyati). V novoj arhitekture Rambus udalos' sdelat' zaderzhku sravnimoj s analogichnym pokazatelem u samyh "bystryh" mikroshem EDO DRAM.
Tehnologiya Rambus predstavlyaet soboj vysokoskorostnoj interfejs, kotoryj obespechivaet vozmozhnost' peredachi dannyh so skorost'yu do 600 Mbit/s cherez Rambus Channel - shinu dannyh, razryadnost' kotoroj ekvivalentna odnomu bajtu.
Soglasno ocenkam analitikov, plotnost' mikroshem DRAM kazhdye tri goda uvelichivaetsya v chetyre raza. Poetomu dlya obespecheniya neobhodimogo ob容ma operativnoj pamyati trebuetsya vse men'shee chislo mikroshem. Takim obrazom, effektivnost' pamyati harakterizuetsya dolej ee propusknoj sposobnosti, prihodyashchejsya na odin kontakt (pin). RDRAM obespechivaet v vosem' raz bol'shuyu propusknuyu sposobnost' v raschete na odin kontakt po sravneniyu s drugimi mikroshemami pamyati.
V sootvetstvii s prognozom, massovye postavki mikroshem Concurrent 16 Mbit RDRAM nachnutsya v 1997 godu. Ozhidaetsya, chto moduli pamyati RDRAM pri etom budut sravnimy po cene s tradicionnymi ustrojstvami DRAM, ispol'zuemymi v PK s bol'shim ob容mom operativnoj pamyati. |to ob座asnyaetsya tem, chto Rambus DRAM razrabatyvalas' s pricelom na nedoroguyu massovuyu produkciyu. V nej ispol'zuetsya yadro tradicionnoj dinamicheskoj pamyati. Pri izgotovlenii elementov RDRAM primenyayutsya standartnye tehnologicheskie processy proizvodstva obychnyh integral'nyh shem i pechatnyh plat, a dlya razmeshcheniya - obychnye plastmassovye korpusa s malym chislom kontaktov.
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Deficit OP mozhet vyrazhat'sya po-raznomu:
Predpolagaetsya, chto v 1997 godu mikroshemy pamyati SDRAM emkost'yu 16 Mbit poluchat shirokoe rasprostranenie, chto svyazano s vypuskom novyh processorov Pentium Pro. Ustrojstva EDO dolzhny dominirovat' na rynke do 1998 goda, kakoe-to vremya posle etogo oni budut sosushchestvovat' s mikroshemami SDRAM. Soglasno mneniyu analitikov, pamyat' EDO budet po-prezhnemu aktivno ispol'zovat'sya na komp'yuterah, osnashchennyh processorami Pentium, a mikroshemy SDRAM najdut naibol'shee primenenie v sistemah na baze Pentium Pro.
Po mneniyu specialistov, SDRAM mozhet najti shirokoe primenenie, v tom chisle v kachestve osnovnoj pamyati vysokoproizvoditel'nyh PK i rabochih stancij, v ustrojstvah klassa palm-top i elektronnyh sekretaryah (PDA), nedorogih setevyh komp'yuterah, v graficheskih podsistemah, dlya zameny kesh-pamyati vtorogo urovnya, dlya igrovyh pristavok i ustrojstv dlya priema peredach kabel'nogo i sputnikovogo TV, dlya buferov dannyh v nakopitelyah na zhestkih diskah, ustrojstvah peredachi dannyh i v drugom kommunikacionnom oborudovanii. Pri etom SDRAM sposobna obespechivat' trebuemuyu proizvoditel'nost' dlya vseh perechislennyh sistem.
SDRAM daet razrabotchikam PK vozmozhnost' ispol'zovaniya dlya podsistem pamyati UMA-arhitektury i pozvolyaet takzhe otkazat'sya ot primeneniya vneshnej kesh-pamyati pri sohranenii proizvoditel'nosti sistem.
Pri ispol'zovanii v rabochih stanciyah SDRAM podderzhivaet propusknuyu sposobnost' pamyati do 100 MGc. V sochetanii so shemoj cheredovaniya dostupa eto pozvolyaet uprostit' arhitekturu shiny pamyati.
V sluchae pristavok (set-top box) odna mikroshema SDRAM emkost'yu 1 Mbit mozhet zamenit' 4 mikroshemy FPM DRAM po 256 Kbit i obespechit' dostup k dannym so skorost'yu 135-200 Mbajt/s (velichina, neobhodimaya dlya raboty videoprilozhenij, realizovannyh v standarte MPEG-II). Vygoda ot takoj zameny budet vyrazhat'sya ne tol'ko v umen'shenii udel'noj ceny (v raschete na odin bit dannyh), no i v umen'shenii energopotrebleniya, ekonomii svobodnogo mesta na plate i vozmozhnosti ispol'zovaniya bolee prostogo kontrollera s 16-razryadnoj shinoj (vmesto 64-razryadnoj).
V kommutatorah ATM mikroshemy SDRAM pozvolyayut obespechit' effektivnuyu, s tochki zreniya stoimosti, zamenu mikroshem staticheskoj pamyati (Static RAM), sohranyaya pri etom dostatochnuyu propusknuyu sposobnost' kommutatorov.
Ne berus' ocenivat' vsyu situaciyu s ispol'zovaniem SDRAM na vsem rossijskom rynke. Odnako vot chto udalos' vyyasnit' v moskovskom ofise firmy "Pirit". Postavki ustrojstv SDRAM ne nosyat massovogo haraktera. Rossijskie pol'zovateli poka ne proyavlyayut sil'nuyu zainteresovannost' v novom tipe pamyati. Po mneniyu specialistov firmy, eto ob座asnyaetsya tem, chto na bol'shej chasti ustanovlennyh v Rossii komp'yuterov preimushchestva tehnologii SDRAM ne budut zametny. Ustrojstva SDRAM do sih por gorazdo dorozhe modulej pamyati tipa FPM i EDO DRAM, a chipsety, podderzhivayushchie SDRAM, vypuskayutsya eshche ne v dostatochnom ob容me. V silu konstruktivnyh razlichij modulej pamyati, ih nel'zya sovmestno ustanavlivat' na imeyushchihsya materinskih platah. Poetomu zhelanie ispol'zovat' "pamyat' novogo tipa v staryh komp'yuterah" potrebuet zameny i materinskoj platy, a sledovatel'no, i dopolnitel'nyh zatrat. Takim obrazom, vse eti obstoyatel'stva poka ostanavlivayut rossijskogo pol'zovatelya i delayut necelesoobraznym ispol'zovanie pamyati SDRAM.
Computerworld
Rossiya Soderzhanie
Novosti
Internet
Obzor
i podrobnosti